IGBT бумасын басыңыз
Пресс-пакет IGBT (IEGT)
| ТҮР | VDRM V | VRRM V | IT(AV)@80℃ A | ITGQM@CS A / мкФ | ITSM@10мс kA | VTM V | VTO V | rT мΩ | TVJM ℃ | Rthjc ℃/Вт | |
| CSG07E1400 | 1400 | 100 | 250 | 700 | 2 | 4 | ≤2.2 | ≤1,20 | ≤0,50 | 125 | 0,075 |
| CSG07E1700 | 1700 | 16 | 240 | 700 | 1.5 | 4 | ≤2.5 | ≤1,20 | ≤0,50 | 125 | 0,075 |
| CSG15F2500 | 2500 | 17 | 570 | 1500 | 3 | 10 | ≤2.8 | ≤1,50 | ≤0,90 | 125 | 0,027 |
| CSG20H2500 | 2500 | 17 | 830 | 2000 | 6 | 16 | ≤2.8 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG25H2500 | 2500 | 16 | 867 | 2500 | 6 | 18 | ≤3.1 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG30J2500 | 2500 | 17 | 1350 | 3000 | 5 | 30 | ≤2.5 | ≤1,50 | ≤0,33 | 125 | 0,012 |
| CSG10F2500 | 2500 | 15 | 830 | 1000 | 2 | 12 | ≤2.5 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG06D4500 | 4500 | 17 | 210 | 600 | 1 | 3.1 | ≤4,0 | ≤1,90 | ≤0,50 | 125 | 0,05 |
| CSG10F4500 | 4500 | 16 | 320 | 1000 | 1 | 7 | ≤3,5 | 1.9 | ≤0,35 | 125 | 0,03 |
| CSG20H4500 | 4500 | 16 | 745 | 2000 | 2 | 16 | ≤3.2 | ≤1,8 | ≤0,85 | 125 | 0,017 |
| CSG30J4500 | 4500 | 16 | 870 | 3000 | 6 | 16 | ≤4,0 | ≤2.2 | ≤0,60 | 125 | 0,012 |
| CSG40L4500 | 4500 | 16 | 1180 | 4000 | 3 | 20 | ≤4,0 | ≤2.1 | ≤0,58 | 125 | 0,011 |
Ескерту:D- dйод бөлігі, А-диод бөлігі жоқ
Әдеттегідей, дәнекерлеу контактісі IGBT модульдері икемді тұрақты ток беру жүйесінің ауыстырып-қосқышында қолданылды.Модуль пакеті бір жақты жылуды диссипациялау болып табылады.Құрылғының қуат сыйымдылығы шектеулі және тізбектей қосылуға жарамсыз, тұзды ауада нашар қызмет ету мерзімі, дірілге қарсы шок немесе термиялық шаршау.
Жаңа типті пресс-контактілі жоғары қуатты пресс-пакет IGBT құрылғысы дәнекерлеу процесіндегі бос орындарды, дәнекерлеу материалының термиялық шаршауын және бір жақты жылуды таратудың төмен тиімділігін толығымен шешіп қана қоймайды, сонымен қатар әртүрлі компоненттер арасындағы жылу кедергісін жояды, өлшемі мен салмағын барынша азайтыңыз.Және IGBT құрылғысының жұмыс тиімділігі мен сенімділігін айтарлықтай жақсартады.Бұл икемді тұрақты ток беру жүйесінің жоғары қуатты, жоғары вольтты, жоғары сенімділік талаптарын қанағаттандыру үшін өте қолайлы.
IGBT пресс-пакетімен дәнекерленген контакт түрін ауыстыру өте маңызды.
2010 жылдан бастап Runau Electronics жаңа типті пресс-пакет IGBT құрылғысын әзірлеуге және 2013 жылы өндіріске қол жеткізуге әзірленді. Өнімділік ұлттық біліктілікпен расталды және соңғы жетістіктерге қол жеткізілді.
Енді біз 600А-дан 3000А-ға дейінгі IC диапазонындағы IGBT және 1700В-тен 6500В-қа дейінгі VCES диапазонында сериялық пресс-пакетті өндіріп, қамтамасыз ете аламыз.Қытайда жасалған IGBT пресс-пакетінің Қытайда қолданылатын икемді тұрақты ток беру жүйесінің керемет болашағы күтілуде және ол жоғары жылдамдықты электр пойызынан кейін Қытайдың электр электроника өнеркәсібінің әлемдік деңгейдегі тағы бір белестері болады.
Типтік режимнің қысқаша кіріспесі:
1. Режим: IGBT CSG07E1700 бумасын басыңыз
●Орау және престеуден кейінгі электрлік сипаттамалары
● Керіпараллельқосылғанжылдам қалпына келтіру диодқорытындылады
● Параметр:
Номиналды мән（25℃）
а.Коллектор эмиттерінің кернеуі: VGES=1700（V）
б.Шықпа эмитентінің кернеуі: VCES=±20（V）
в.Коллектор тогы: IC=800（A）ICP=1600（A）
г.Коллектор қуатының шығыны: PC=4440（W）
e.Жұмыс нүктесінің температурасы: Tj=－20~125℃
f.Сақтау температурасы: Tstg=－40~125℃
Ескертпе: егер номиналды мәннен асып кетсе, құрылғы зақымдалады
ЭлектрлікCхарактеристика, TC＝125℃，Rth (жылу кедергісітүйісуіс）қосылмаған
а.Ағып кету тогы: IGES=±5（μA）
б.Коллектор эмиттерінің блоктау тогы ICES=250（мА）
в.Коллектор эмиттерінің қанығу кернеуі: VCE(сат)=6(V)
г.Шлюз эмитентінің шекті кернеуі: VGE(th)=10(V)
e.Қосылу уақыты: Тон=2,5мкс
f.Өшіру уақыты: Toff=3μs
2. Режим: IGBT CSG10F2500 бумасын басыңыз
●Орау және престеуден кейінгі электрлік сипаттамалары
● Керіпараллельқосылғанжылдам қалпына келтіру диодқорытындылады
● Параметр:
Номиналды мән（25℃）
а.Коллектор эмиттерінің кернеуі: VGES=2500（V）
б.Шықпа эмитентінің кернеуі: VCES=±20（V）
в.Коллектор тогы: IC=600（A）ICP=2000（A）
г.Коллектор қуатының шығыны: ДК=4800（Вт）
e.Жұмыс нүктесінің температурасы: Tj=－40~125℃
f.Сақтау температурасы: Tstg=－40~125℃
Ескертпе: егер номиналды мәннен асып кетсе, құрылғы зақымдалады
ЭлектрлікCхарактеристика, TC＝125℃，Rth (жылу кедергісітүйісуіс）қосылмаған
а.Ағып кету тогы: IGES=±15（μA）
б.Коллектор эмиттерінің блоктау тогы ICES=25（mA）
в.Коллектор эмиттерінің қанығу кернеуі: VCE(сат)=3,2 (V)
г.Шлюз эмитентінің шекті кернеуі: VGE(th)=6,3(V)
e.Қосылу уақыты: Тон=3,2мкс
f.Өшіру уақыты: Toff=9,8μs
g.Диодтың алға кернеуі: VF=3,2 В
h.Диодты кері қалпына келтіру уақыты: Trr=1,0 мкс
3. Режим: IGBT CSG10F4500 бумасын басыңыз
●Орау және престеуден кейінгі электрлік сипаттамалары
● Керіпараллельқосылғанжылдам қалпына келтіру диодқорытындылады
● Параметр:
Номиналды мән（25℃）
а.Коллектор эмиттерінің кернеуі: VGES=4500（V）
б.Шықпа эмитентінің кернеуі: VCES=±20（V）
в.Коллектор тогы: IC=600（A）ICP=2000（A）
г.Коллектор қуатының шығыны: ДК=7700（Вт）
e.Жұмыс нүктесінің температурасы: Tj=－40~125℃
f.Сақтау температурасы: Tstg=－40~125℃
Ескертпе: егер номиналды мәннен асып кетсе, құрылғы зақымдалады
ЭлектрлікCхарактеристика, TC＝125℃，Rth (жылу кедергісітүйісуіс）қосылмаған
а.Ағып кету тогы: IGES=±15（μA）
б.Коллектор эмиттерінің блоктау тогы ICES=50（mA）
в.Коллектор эмиттерінің қанығу кернеуі: VCE(сат)=3,9 (V)
г.Шлюз эмитентінің шекті кернеуі: VGE(th)=5,2 (V)
e.Қосылу уақыты: Тон=5,5мкс
f.Өшіру уақыты: Toff=5,5μс
g.Диодтың алға кернеуі: VF=3,8 В
h.Диодты кері қалпына келтіру уақыты: Trr=2,0 мкс
Ескерту:Пресс-пакет IGBT ұзақ мерзімді жоғары механикалық сенімділікте, зақымға жоғары төзімділікте және пресс-қосқыш құрылымының сипаттамаларында артықшылық болып табылады, сериялық құрылғыда қолдануға ыңғайлы және дәстүрлі GTO тиристорымен салыстырғанда, IGBT кернеуді жетек әдісі болып табылады. .Сондықтан оны пайдалану оңай, қауіпсіз және кең жұмыс диапазоны.