Түзеткіш диод чипі
Түзеткіш диод чипі
RUNAU Electronics компаниясы шығарған түзеткіш диодты чип бастапқыда GE өңдеу стандарты мен технологиясымен енгізілген, ол АҚШ-тың қолданбалы стандартына сәйкес келеді және дүниежүзілік клиенттердің біліктілігі бар.Ол күшті термиялық шаршауға төзімділік сипаттамалары, ұзақ қызмет ету мерзімі, жоғары кернеу, үлкен ток, күшті қоршаған ортаға бейімделу және т.б. сипатталады. Әрбір чип TJM-де сыналады, кездейсоқ тексеруге қатаң рұқсат етілмейді.Чиптер параметрлерінің консистенциясы таңдауы қолданбаның талаптарына сәйкес қамтамасыз етілуі мүмкін.
Параметр:
| Диаметрі mm | Қалыңдық mm | Вольтаж V | Катодтың шығу диаметрі. mm | Тжм ℃ |
| 17 | 1,5±0,1 | ≤2600 | 12.5 | 150 |
| 23.3 | 1,95±0,1 | ≤2600 | 18.5 | 150 |
| 23.3 | 2,15±0,1 | 4200-5500 | 16.5 | 150 |
| 24 | 1,5±0,1 | ≤2600 | 18.5 | 150 |
| 25.4 | 1.4-1.7 | ≤3500 | 19.5 | 150 |
| 29.72 | 1,95±0,1 | ≤2600 | 25 | 150 |
| 29.72 | 1.9-2.3 | 2800-5500 | 23 | 150 |
| 32 | 1,9±0,1 | ≤2200 | 27.5 | 150 |
| 32 | 2±0,1 | 2400-2600 | 26.3 | 150 |
| 35 | 1.8-2.1 | ≤3500 | 29 | 150 |
| 35 | 2,2±0,1 | 3600-5000 | 27.5 | 150 |
| 36 | 2,1±0,1 | ≤2200 | 31 | 150 |
| 38.1 | 1,9±0,1 | ≤2200 | 34 | 150 |
| 40 | 1.9-2.2 | ≤3500 | 33.5 | 150 |
| 40 | 2.2-2.5 | 3600-6500 | 31.5 | 150 |
| 45 | 2,3±0,1 | ≤3000 | 39.5 | 150 |
| 45 | 2,5±0,1 | 3600-4500 | 37.5 | 150 |
| 50.8 | 2.4-2.7 | ≤4000 | 43.5 | 150 |
| 50.8 | 2,8±0,1 | 4200-5000 | 41.5 | 150 |
| 55 | 2.4-2.8 | ≤4500 | 47.7 | 150 |
| 55 | 2.8-3.1 | 5200-6500 | 44.5 | 150 |
| 63.5 | 2,6-3,0 | ≤4500 | 56.5 | 150 |
| 63.5 | 3,0-3,3 | 5200-6500 | 54.5 | 150 |
| 70 | 2.9-3.1 | ≤3200 | 63.5 | 150 |
| 70 | 3,2±0,1 | 3400-4500 | 62 | 150 |
| 76 | 3.4-3.8 | ≤4500 | 68.1 | 150 |
| 89 | 3.9-4.3 | ≤4500 | 80 | 150 |
| 99 | 4.4-4.8 | ≤4500 | 89.7 | 150 |
Техникалық сипаттамасы:
RUNAU Electronics түзеткіш диод пен дәнекерлеу диодының қуатты жартылай өткізгіш микросхемаларын ұсынады.
1. Күйдегі кернеудің төмендеуі
2. Алтынды металдандыру өткізгіштік және жылуды тарату қасиетін жақсарту үшін қолданылады.
3. Екі қабатты қорғаныс меза
Кеңестер:
1. Жақсырақ жұмыс істеу үшін чип молибден бөліктерінің тотығуы мен ылғалдылығынан туындаған кернеудің өзгеруін болдырмау үшін азот немесе вакуум жағдайында сақталуы керек.
2. Чиптің бетін әрқашан таза ұстаңыз, қолғап киіңіз және чипті жалаң қолмен ұстамаңыз.
3. Пайдалану процесінде абайлап әрекет етіңіз.Қақпа мен катодтың полюс аймағындағы чиптің шайырлы шетінің бетін және алюминий қабатын зақымдамаңыз.
4. Сынақ немесе инкапсуляция кезінде бекітпенің параллельдігі, тегістігі және қысқыш күші көрсетілген стандарттарға сәйкес келуі керек екенін ескеріңіз.Нашар параллелизм біркелкі емес қысымға және чиптің күшпен зақымдалуына әкеледі.Артық қысқыш күші қолданылса, чип оңай зақымдалады.Қысқыштың күші тым аз болса, нашар байланыс және жылуды тарату қолданбаға әсер етеді.
5. Чиптің катодты бетімен жанасатын қысым блогы жасытылған болуы керек
Қысқыш күшін ұсыныңыз
| Чиптердің өлшемі | Қысқыш күші бойынша ұсыныс |
| （KN）±10% | |
| Φ25.4 | 4 |
| Φ30 немесе Φ30.48 | 10 |
| Φ35 | 13 |
| Φ38 немесе Φ40 | 15 |
| Φ50.8 | 24 |
| Φ55 | 26 |
| Φ60 | 28 |
| Φ63.5 | 30 |
| Φ70 | 32 |
| Φ76 | 35 |
| Φ85 | 45 |
| Φ99 | 65 |