ТҮР

I_T(AV)

T_C

V_DRM

I_TSM@T_VJIM&10мс

I²t

V_TM@I_T&Т_J=25℃

Tq

@I_T&Т_J=125℃

ди/дт=25А/мкС

dv/dt=50v/μs

V_D=0,67 В_DRM

T_jm

R_jc

R_cs

F

m

OUT

ТҮЗУ

A

℃

V

A

A²s

V

A

μs

℃

℃/Вт

℃/Вт

KN

Kg

KN760-25

760

70

2500

14000

9,8×10⁵

2.10

2000

40

125

0,022

0,005

22

0.6

T8C

ТҮР

I_F(AV)

T_C

V_RRM

I_TSM@T_VJIM&10мс

I²t

V_FM@I_F&Т_J=25℃

Тр

@I_FM=320А;

ди/дт=25А/мкС

T_J=125℃ В_D=100В

T_jm

R_jc

A

℃

V

A

A²s

V

A

μs

℃

℃/Вт

KN760-25

202

70

2500

4000

8×10⁴

3.00

1200

5.6

125

0,01